Nha, V.Q., Thang, L.V., Thuy Linh, H.T., Gorbachuk, N.I. và Cuong, N.X. 2020. Formation of radiation-disturbed layer in Al/SiO2/n-Si structures irradiated with helium ions with energy 5 MeV. Tạp chí Khoa học Đại học Huế: Khoa học Tự Nhiên. 129, 1D (tháng 8 2020), 71-75. DOI:https://doi.org/10.26459/hueuni-jns.v129i1D.5765.