NGHIÊN CỨU CÁC TÍNH CHẤT ĐIỆN TỬ VÀ TRUYỀN DẪN CỦA VẬT LIỆU HAI CHIỀU ĐƠN LỚP JANUS TiSiSeP2 BẰNG LÝ THUYẾT PHIẾM HÀM MẬT ĐỘ
Tập 132 Số 1C (2023), Nghiên cứu
Tập 132 Số 1C (2023)

NGHIÊN CỨU CÁC TÍNH CHẤT ĐIỆN TỬ VÀ TRUYỀN DẪN CỦA VẬT LIỆU HAI CHIỀU ĐƠN LỚP JANUS TiSiSeP2 BẰNG LÝ THUYẾT PHIẾM HÀM MẬT ĐỘ

Nghiên cứu
https://doi.org/10.26459/hueunijns.v132i1C.7248
Đã xuất bản 2023-09-30
Võ Thị Tuyết Vi*
Khoa Cơ bản, Trường Đại học Y - Dược, Đại học Huế, 06 Ngô Quyền, Huế, Việt Nam
Nguyễn Quang Cường
Viện Nghiên cứu và Phát triển công nghệ cao, Trường Đại học Duy Tân, 03 Quang Trung, Đà Nẵng, Việt Nam
Nguyễn Ngọc Hiếu
Viện Nghiên cứu và Phát triển công nghệ cao, Trường Đại học Duy Tân, 03 Quang Trung, Đà Nẵng, Việt Nam
PDF

Từ khóa

Vật liệu Janus hai chiều
tính chất điện tử
độ linh động của điện tử
lý thuyết phiếm hàm mật độ Two-dimensional Janus materials
electronic properties
electron mobility
density functional theory

Cách trích dẫn

1.
Võ TTV, Nguyễn QC, Nguyễn NH. NGHIÊN CỨU CÁC TÍNH CHẤT ĐIỆN TỬ VÀ TRUYỀN DẪN CỦA VẬT LIỆU HAI CHIỀU ĐƠN LỚP JANUS TiSiSeP2 BẰNG LÝ THUYẾT PHIẾM HÀM MẬT ĐỘ. hueuni-jns [Internet]. 30 Tháng Chín 2023 [cited 15 Tháng Mười-Một 2024];132(1C):89-97. Available at: http://222.255.146.83/index.php/hujos-ns/article/view/7248
##plugins.generic.citationStyleLanguage.style.acm-sig-proceedings## ##plugins.generic.citationStyleLanguage.style.acs-nano## ##plugins.generic.citationStyleLanguage.style.apa## ##plugins.generic.citationStyleLanguage.style.associacao-brasileira-de-normas-tecnicas## ##plugins.generic.citationStyleLanguage.style.chicago-author-date## ##plugins.generic.citationStyleLanguage.style.harvard-cite-them-right## ##plugins.generic.citationStyleLanguage.style.ieee## ##plugins.generic.citationStyleLanguage.style.modern-language-association## ##plugins.generic.citationStyleLanguage.style.turabian-fullnote-bibliography## ##plugins.generic.citationStyleLanguage.style.vancouver##

Tải trích dẫn

##plugins.generic.citationStyleLanguage.download.ris## ##plugins.generic.citationStyleLanguage.download.bibtex##
Crossref
Scopus
Google Scholar
Europe PMC

Tóm tắt

Trong bài báo này, các tính chất điện tử và truyền dẫn của vật liệu hai chiều đơn lớp Janus TiSiSeP2 được nghiên cứu bằng pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT). Các tính toán cho thấy đơn lớn TiSiSeP2 có cấu trúc bền vững và có khả năng tổng hợp được bằng thực nghiệm. Ở trạng thái cơ bản, đơn lớp Janus TiSiSeP2 là bán dẫn với vùng cấm xiên có bề rộng là 1,23 eV khi được tính bằng phiếm hàm lai HSE06. Các đặc trưng điện tử của TiSiSeP2 phụ thuộc rất lớn vào biến dạng, đặc biệt là độ rộng vùng cấm. Bên cạnh đó, các đặc trưng truyền dẫn của TiSiSeP2 cũng đã được tính toán một cách hệ thống trong bài báo này. Các kết quả nghiên cứu góp phần hiểu rõ hơn về các tính chất vật lý của vật liệu hai chiều đơn lớp Janus TiSiSeP2.

https://doi.org/10.26459/hueunijns.v132i1C.7248
PDF

Tài liệu tham khảo

  1. Lugovskoi AV, Katsnelson MI, Rudenko AN. Strong electron-phonon coupling and its influence on the transport and optical properties of hole-doped single-layer InSe. Phys Rev Lett. 2019;123:176401.
  2. Poklonski NA, Vyrko SA, Siahlo AI, Poklonskaya ON, Ratkevich SV, Hieu NN, et al. Synergy of physical properties of low-dimensional carbon-based systems for nanoscale device design. Mater Res Express 2019;6(4):042002.
  3. Banszerus L, Schmitz LM, Engels S, Dauber J, Oellers M, Haupt F, et al. Ultrahigh-mobility graphene devices from chemical vapor deposition on reusable copper. Sci Adv. 2015;1(6):e1500222.
  4. Lu A-Y, Zhu H, Xiao J, Chuu C-P, Han Y, Chiu M-H, et al. Janus monolayers of transition metal dichalcogenides. Nat Nanotechnol. 2017;12:744.
  5. Zhang J, Jia S, Kholmanov I, Dong L, Er D, Chen W, et al. Janus Monolayer Transition-Metal Dichalcogenides. ACS Nano. 2017;11(8):8192.
  6. Vu TV, Vi VTT, Nguyen CV, Phuc HV, Hieu NN. Computational prediction of electronic and optical properties of Janus Ga2SeTe monolayer. J Phys D: Appl Phys. 2020;53(45):455302.
  7. Vu TV, Vi VTT, Phuc HV, Kartamyshev AI, Hieu NN. Oxygenation of Janus group III monochalcogenides: First-principles insights into GaInXO (X = S, Se, Te) monolayers. Phys Rev B. 2021;104:115410.
  8. Hong Y-L, Liu Z, Wang L, Zhou T, Ma W, Xu C, et al. Chemical vapor deposition of layered two-dimensional MoSi2N4 materials. Science. 2020;369:670-674.
  9. Wang L, Shi Y, Liu M, Zhang A, Hong Y-L, Li R, et al. Intercalated architecture of MA2Z4 family layered van der Waals materials with emerging topological, magnetic and superconducting properties. Nat Commun. 2021;12:2361.
  10. Sibatov RT, Meftakhutdinov RM, Kochaev AI. Asymmetric XMoSiN2 (X=S, Se, Te) monolayers as novel promising 2D materials for nanoelectronics and photovoltaics. Appl Surf Sci. 2022;585:152465.
  11. Kresse G, Furthmüller F. Efficient iterative schemes for ab initio total-energy calculations using a plane-wave basis set. Phys Rev B. 1996;54:11169.
  12. Kresse G, and Furthmüller F. Efficiency of ab-initio total energy calculations for metals and semiconductors using a plane-wave basis set. Comput Mater Sci. 1996;6:15.
  13. Perdew JP, Burke K, Ernzerhof M. Generalized gradient approximation made simple. Phys Rev Lett. 1996;77(18):3865.
  14. Heyd J, Scuseria GE. Efficient hybrid density functional calculations in solids: Assessment of the Heyd–Scuseria–Ernzerhof screened Coulomb hybrid functional. J Chem Phys. 2004;121:1187-1192.
  15. Grimme S. Semiempirical GGA‐type density functional constructed with a long‐range dispersion correction. J Comput Chem. 2006;27(15):1787-99.
  16. Bengtsson L. Dipole correction for surface supercell calculations. Phys Rev B. 1999;59:12301
  17. Nosé S. A unified formulation of the constant temperature molecular dynamics methods. J Chem Phys. 1984;81: 511.
  18. Bardeen J, Shockley W. Deformation Potentials and Mobilities in Non-Polar Crystals. Phys Rev. 1950;80:72.
  19. Gao Z, He X, Li W, He Y, Xiong K. First principles prediction of two-dimensional Janus STiXY2 (X = Si, Ge; Y = N, P, As) materials. Dalton Trans. 2023;52:8322-8331.
  20. Vi VTT, Linh TPT, Ngyyen CQ, Hieu NN. Tunable electronic properties of novel 2D Janus MSiGeN4 (M = Ti, Zr, Hf) monolayers by strain and external electric field. Adv Theory Simul. 2022;5:2200499.
  21. Vi VTT, Hieu NN, Hoi BD, Binh NT, Vu TV. Modulation of electronic and optical properties of GaTe monolayer by biaxial strain and electric field. Superlattices Microstruct. 2020;140:106435.
Creative Commons License

công trình này được cấp phép theo Creative Commons Ghi công-Chia sẻ tương tự 4.0 License International .

Bản quyền (c) 2023 Array